近日长江存储宣布推出UFS 3.1通用闪存UC023，据悉这是长江存储打造的一款旗舰级高速闪存芯片，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域。UC023采用全新升级的晶栈2.0(Xtacking)技术的TLC 3D闪存颗粒，设计和工艺得到了进一步的改良优化。

据悉，UC023改搭载主机碎片化整理技术(HID)，优化数据处理操作，能节省更多存储空间，同时引入随机写性能优化机制，写入速度提升至230K IOPS，实现多个应用自如切换，同时提供128、256和512GB三款存储容量可选。

根据JEDEC文档，与UFS 3.0相比，UFS 3.1的主要提升在于更高的写入性能、更低的功耗及更稳定的性能管理。在加入了写入增强器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)、性能调整通知(Performance Throttling Notification)等技术后，UFS 3.1理论带宽可达2.9GB/s，性能较eMMC 5.1及UFS 2.2有了大幅提升。